Тип: Контрольная работа |
Цена: 450 р. |
Страниц: 13 |
Формат: doc |
Год: 2012 |
 Купить
|
Содержание
|
|
Введение…………………………………………………………………….3
Магниторезистивный эффект…………………………………………..….5
Качественное объяснение эффекта……………………………………..…5
Вывод………………………………………………………………………..7
Тензор проводимости………………………………………………….….10
Отрицательное магнетосопротивление…………...……………………..12
Литература……………………………………………………………...…13
|
|
Введение
|
|
В 2004 группа исследователей из Университета Айовы обнаружила необычный магнитный эффект, проявляемый пленками органических полупроводников. При приложении слабого магнитного поля к пленке ее электрическое сопротивление понижалось примерно на 10%. Эта необычная чувствительность к магнитным полям, известная как магниторезистивность, ранее проявлялась только для ферромагнитных материалов, как, например, железа. Причина наблюдаемого явления тогда, три года назад, не была выяснена.
|
|
Список литературы
|
|
1. P. S. Kireev Semiconductor physics, 2nd ed.. - Moscow: Mir Publishers, 1978. - С. 696.
2. B. M. Askerov Electron Transport Phenomena in Semiconductors, 5-е изд.. - Singapore: World Scientific, 1994. - С. 416.
3. Vorob'ev V. N. and Sokolov Yu. F. "Determination of the mobility in small sample of gallium arsenide from magnetoresistive effects" Sov. Phys. Semiconductors 5, 616 (1971).
|
|
Примечания:
|
|
Примечаний нет.
|
|
На уровень вверх